佳能推晶圓測量機新品MS-00* 比光刻機精度更高

半導體制造工藝日趨復雜，為了制造出高精度的半導體元器件，需要提高套刻的精度，因而曝光前要測量的對準測量點(diǎn)也越來(lái)越多。

如果在半導體光刻機中對數量眾多的測量點(diǎn)進(jìn)行對準測量的話(huà)，測量本身會(huì )非常耗時(shí)，進(jìn)而就會(huì )降低半導體光刻機的生產(chǎn)效率。

為此，半導體制造領(lǐng)域引進(jìn)了晶圓測量機，將半導體光刻機的對準測量功能分離出來(lái)，以此來(lái)確保生產(chǎn)的高精度和效率。

2月2*日消息，今天佳能宣布推出半導體制造用晶圓測量機“MS-00*”，該產(chǎn)品可以對晶片進(jìn)行高精度的對準測量。

該產(chǎn)品可以在晶片運送至半導體光刻設備之前統一完成大部分的對準測量，減輕在半導體光刻設備中進(jìn)行對準測量操作的工作量。

佳能表示，“MS-00*”所搭載的調準用示波器安裝有區域傳感器，可以進(jìn)行多像素測量，降低測量時(shí)的噪音。

增加的對準標記（示意）

另外，“MS-00*”還可以對多個(gè)種類(lèi)的對準標記進(jìn)行測量。通過(guò)采用新開(kāi)發(fā)的調準用示波器光源，新產(chǎn)品可提供的波長(cháng)范圍比在半導體光刻設備中測量時(shí)大*.5倍，能夠以用戶(hù)所需的任意波長(cháng)進(jìn)行對準測量。因此，相較于在半導體光刻設備中所進(jìn)行的測量，“MS-00*”所能實(shí)現的對準測量精度要更高。

光刻機要對電路圖進(jìn)行多次重復曝光。其定位精度是非常準確的。如果不能對已經(jīng)曝光的下層部分進(jìn)行準確定位的話(huà)，整個(gè)電路的質(zhì)量會(huì )降低，進(jìn)而導致生產(chǎn)良品率的降低。如果用高爾夫來(lái)比喻其精度的話(huà)，它就相當于從東京到夏威夷的距離實(shí)現“一桿入洞”。